种子层(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx成分及厚度对Ni0.81Fe0.19薄膜磁性和微结构的影响
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10.3321/j.issn:0412-1961.2003.10.006

种子层(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx成分及厚度对Ni0.81Fe0.19薄膜磁性和微结构的影响

引用
用直流磁控溅射方法制备了性能优良的以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为种子层的Ni0.81Fe0.19薄膜,研究了种子层成分及厚度对薄膜磁性和微结构的影响,结果表明:当种子层(Ni0.81Fe0.19)0.63Cr0.37厚度为5.5 nm时,Ni0.81Fe019(20.0 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值为(2.53±0.06)%;当Cr的含量为0.36时,Ni0 81Fe0.19(60.0 nm)薄膜的AMR值为(3.35±0.06)%.AFM及XRD研究表明:不同厚度缓冲层(厚度分别为2.8,5.5和8.3 nm)的Ni0.81Fe0.19(20.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸基本都为35.2 nm,但其111织构相差很大,AMR值最大时,对应的111衍射峰最强;不同Cr含量(分别为0.28,0.36和0.41)的Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸和111衍射峰相差都很明显,AMR值最大时,对应地薄膜表面平均晶粒尺寸最大,Ni0.81Fe0.19111衍射峰也最强.

Ni0.81Fe0.19薄膜、(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx种子层、各向异性磁电阻、晶粒尺寸、111织构

39

TG113(金属学与热处理)

国家自然科学基金19890310,50271007

2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

1043-1046

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金属学报

0412-1961

21-1139/TG

39

2003,39(10)

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