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10.3321/j.issn:0412-1961.2003.05.009

偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理

引用
在不同偏压下用电弧离子镀沉积TiN薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面大颗粒污染情况,并分析偏压对大颗粒的影响.结果表明,偏压对大颗粒的影响主要来自电场的排斥作用.直流偏压下,等离子体鞘层基本稳定,电子对大颗粒表面充电能力很弱,而脉冲偏压下,由于鞘层厚度不断变化,大颗粒不断进出于鞘层,电子对大颗粒表面的充电能力强,使其所带负电荷明显增多,受到基体的排斥力变大,大颗粒不易沉积到基体而使薄膜形貌得到有效改善.

偏压、电弧离子镀、Tin薄膜、表面形貌

39

TB43;TG115.21(工业通用技术与设备)

2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

510-515

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0412-1961

21-1139/TG

39

2003,39(5)

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