电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大

摘要：

利用高分辨电子显微镜对电子束辐照诱发非晶GaAs晶化过程现象进行了原位观察.结果表明,具有几个原子大小的原子簇在辐照初期产生,并作为晶化的核心在随后的辐照过程中不断长大;大部分结晶晶粒保持相同的晶体取向,其余少量不同取向的晶粒也与前者保持孪晶关系.电子束辐照诱发非晶GaAs晶化的速率与电子束流密度有关;电子束辐照非晶GaAs结晶不是电子束诱发材料温度升高的结果,而与电子能量有关.本文对辐照晶化的机制和结晶过程进行了讨论.

关键词：非晶GaAs、电子束辐照、结晶、原位观察

所属期刊栏目：39

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金59971059;国家重点基础研究发展计划973计划G19990650

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-16