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10.3321/j.issn:0412-1961.2003.01.001

磁控溅射Cu/Al多层膜的固相反应

引用
采用磁控溅射技术制备了原子比为2:1、调制周期Λ分别为20和5 nm的Cu/Al多层膜.用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM)和热分析(DSC)等技术研究了多层膜的固相反应.Λ=20 nm的多层膜样品中铜和铝膜均沿(111)方向择优生长,加热至145℃时生成α-Cu固溶体,超过191℃时生成γ2-Cu9Al4相.制备态Λ=5 nm的样品有α-Cu生成加热时γ2-Cu9Al4的生成温度显著降低(134℃).测定了Λ=20 nm多层膜样品中α-Cu和γ2-Cu9Al4的形成激活能分别为0.56 eV和0.79 eV,后者与文献值相符.

磁控溅射、Cu/Al多层膜、固相反应

39

TB383(工程材料学)

国家自然科学基金50021101;国家重点基础研究发展计划973计划G1999064505

2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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金属学报

0412-1961

21-1139/TG

39

2003,39(1)

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