扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响

摘要：

用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1 h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN,ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ@cm,退火后降至正常的数个μΩ@cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475 MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149 MPa.

关键词：扩散阻挡层、Cu-Zr合金膜、电阻率、残余应力

所属期刊栏目：38

分类号：TG111.6;TG146.1(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金59931010

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：723-726