10.3321/j.issn:0412-1961.2002.06.012
插入Bi层对NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层膜交换耦合的影响
对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合场Hex下降.然而,少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间,Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制;而且,更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高.
层间偏聚、交换耦合场、表面活化原子Bi、XPS
38
TG146.1(金属学与热处理)
国家自然科学基金19890310;北京市自然科学基金2012011
2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
617-620