10.3321/j.issn:0412-1961.2002.06.006
GaN场发射高分辨电子显微像的图像处理-显示GaN中原子分辨率晶体缺陷的可能性
本文介绍了场发射高分辨电子显微像的图像处理原理,用300 kV场发射电子显微镜的参数模拟了GaN完整晶体和缺陷晶体结构模型的显微像.经过处理的显微像上能够分辨间距为0.112nm的Ga和N原子,并能显示N原子空位.
GaN、晶体缺陷、高分辨电子显微学、场发射电子显微镜、解卷处理
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O766;O77(晶体结构)
国家自然科学基金50072043
2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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