蒸发淀积Al和Teflon AF薄膜间的相互作用

摘要：

通过X-射线光电子光谱(XPS),研究了蒸发淀积Al与Teflon AF薄膜间的相互作用.高分辨率Al2p,Ols,Cls和Fls XPS光谱分析表明在Al和Teflon AF界面处有AI的氟化物(AlxFy)以及C-O-Al有机化合物的形成.考虑到蒸发淀积Al前后,CF3基团降低和CF2基团增加,可以认为AlxFy中氟的来源主要是由于CF3基团中一个C-F键断裂而失去的氟原子,同时产生的CF2游离基和其它游离基间结合,导致界面处CF2基团增加.

关键词：Al、Teflon AF、相互作用、X-射线光电子光谱

所属期刊栏目：37

分类号：TG115.22(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金69776026;高等院校骨干教师基金

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：243-246