FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

摘要：

用高频溅射法制备了FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜,经350℃退火20 min后得到性能优良的巨磁阻抗材料.磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴,靠近边缘,磁畴方向转向横向.这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨磁阻抗效应的重要原因之一.磁阻抗测量表明,样品在13 MHz的频率下,分别获得了63%和77%的纵向和横向磁阻抗比.

关键词：FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜、巨磁阻抗效应、磁畴结构

所属期刊栏目：36

分类号：O484.2;TB383(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金59981004;教育部高等学校博士学科点专项科研基金9704225

在线出版日期：2005-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：535-538