微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程

摘要：

观察和分析了300 μm×40 μm×40 nm的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是Neel畴壁从正极性壁(N+)转变为负极性壁(N-)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即N+→N-直接转变及经由十字壁(Nct)的N+→Nct→N-间接转变)进行了分析讨论.N-往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展.N+→Nct的转变是通过N+壁的数次分裂来实现的.

关键词：磁性薄膜元件、反磁化、磁畴、Neel畴壁

所属期刊栏目：36

分类号：O482.51;TM276(固体物理学)

在线出版日期：2005-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：359-363