10.3321/j.issn:0412-1961.2000.04.001
压痕诱导单晶GaAs非晶相变
利用高分辨电子显微镜观察了(100)GaAs单晶Vickers压痕诱发的形变行为.结果表明,这种材料在Vickers硬度计载荷的作用下产生许多孪晶和堆垛层错,导致发生晶格扭曲,最终诱发晶体的非晶转变.孪晶、层错和晶格扭曲很可能是压痕诱发GaAs非晶转变过程中经历的变形阶段.
压痕、GaAs单晶、非晶转变
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TG115.21(金属学与热处理)
国家自然科学基金5997109;国家重点基础研究发展计划973计划G19990650
2005-10-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
337-340