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10.3321/j.issn:0412-1961.2000.04.001

压痕诱导单晶GaAs非晶相变

引用
利用高分辨电子显微镜观察了(100)GaAs单晶Vickers压痕诱发的形变行为.结果表明,这种材料在Vickers硬度计载荷的作用下产生许多孪晶和堆垛层错,导致发生晶格扭曲,最终诱发晶体的非晶转变.孪晶、层错和晶格扭曲很可能是压痕诱发GaAs非晶转变过程中经历的变形阶段.

压痕、GaAs单晶、非晶转变

36

TG115.21(金属学与热处理)

国家自然科学基金5997109;国家重点基础研究发展计划973计划G19990650

2005-10-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

337-340

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金属学报

0412-1961

21-1139/TG

36

2000,36(4)

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