10.19596/j.cnki.1001-246x.8433
Al纳米线不同晶向力学行为和变形机制的模拟
采用分子动力学模拟计算方法,考察具有较高层错能的Al纳米线沿不同晶向的力学行为和变形机制.在相同计算条件下与具有较低层错能的Ni、Cu、Au和Ag等FCC金属纳米线进行比较.结果表明:在力学行为方面,Al纳米线的弹性模量呈现明显的结构各向异性,满足E[111]>E[110]>E[100]的关系,这一关系在FCC金属纳米线中普遍成立;Al纳米线的屈服应力随晶向呈现 σy[100]>σy[111]>σy[110]的关系,这一关系在具有较低层错能的FCC金属纳米线中不具有普遍性,这与体系中位错形成机制密切相关.根据拉伸变形过程微观结构的演变规律,阐明Al纳米线不同晶向的变形机制,并与具有较低层错能的Ni、Cu、Au和Ag等FCC金属纳米线的变形机制进行比较.结果表明,对于尺度较小的高层错能Al纳米线,Schmid因子和广义层错能均难以准确预测其变形机制.
Al纳米线、变形机制、晶向、分子动力学模拟
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TB31(工程材料学)
国家自然科学基金;长安大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
2022-07-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共11页
341-351