10.19596/j.cnki.1001-246x.8097
低混杂波高N‖分量对EAST等离子体电流驱动的影响
EAST等离子体高约束模运行条件下,在等离子体边缘区域观测到明显的等离子体电流带.在EAST托卡马克装置非圆截面平衡位形下,使用射线追踪方法研究低混杂波高平行折射率N ‖分量对电流驱动的影响.结果表明:当-8≤N‖≤-6时,平行折射率分量能够在小半径(0.7<r/a<1)区域驱动kA量级的等离子体电流.对于具有台基区、等离子体边缘温度更高的电子温度剖面,驱动电流的位置r/a>0.9.低混杂波朗道阻尼的理论分析与数值模拟结果一致.另外,高N‖低混杂波在等离子体边缘的功率沉积和电流驱动与电子温度分布和发射谱分布相关.
低混杂波电流驱动、托卡马克、等离子体电流
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O532(等离子体物理学)
国家重点研发计划;国家自然科学基金
2020-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
467-472