10.19596/j.cnki.1001-246x.7972
应变对纤锌矿结构GaN电子结构及光学性质的影响
使用第一性原理密度泛函理论(DFT)框架下的广义梯度近似(GGA+U)方法计算单轴应变对纤锌矿结构GaN的键长、差分电荷密度、电子结构以及光学性质的影响.结果表明:带隙随应变的增加而减小,压应变在(-1%~-3%)范围内变化时带隙变化不明显,压应变超过3%时带隙随应变的增大显著减小.光学性质研究表明,应变对介电函数虚部峰的位置和大小都产生影响,静态介电常数随应变的增大而增大;应变使GaN的吸收系数减小.
氮化镓、应变、电子结构、光学性质、第一性原理
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O471;O472(半导体物理学)
国家自然科学基金;内蒙古自然科学基金
2020-06-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
119-126