同轴-环形TSV电学性能

摘要：

针对性能优越的同轴-环形硅通孔(Coaxial-Annular Through Silicon Via,CA-TSV)结构,提出特征阻抗、功率、时间常数及寄生参数的解析模型,研究结构参数对电学特性的影响,并通过HFSS软件对S21参数进行验证.结果表明:增加CA-TSV的内径或减小其外径可以有效减小特征阻抗,而减小其内径或增加其外径可以有效减小功率;增加CA-TSV的内径或外径可以有效减小RC等效电路的时间常数,而增大其内径或减小其外径可以有效减小RL等效电路的时间常数;增加CA-TSV的内径或外径可以有效减小电阻并且可以使电容值显著提高.

关键词：同轴-环形硅通孔、三维集成电路、电学性能

所属期刊栏目：35

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金61774127,61404105,61771388和61471296

在线出版日期：2018-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：242-252