欠叠异质栅纳米碳管场效应管的量子输运特性

摘要：

采用量子力学模型，对欠叠栅对传统单质栅碳纳米管场效应管（简称C?CNTFET）和异质栅碳纳米管场效应管（简称HMG?CNTFET）电学特性的影响进行理论研究，该模型基于二维非平衡格林函数（ NEGF）泊松方程自洽求解。仿真结果表明， C?CNTFET的截止频率可高达 THz 量级，另外，通过比较 C?和 HMG?CNTFET 可以看出， C?CNTFET增加欠叠栅后能够提高器件的开关速度，但不利于提高器件的开关电流比。在HMG?CNTFET中，欠叠栅的采用不仅能够同时改善亚阈值特性和开关电流比，还能降低输出电导。

关键词：碳纳米管场效应管、非平衡格林函数、欠叠栅、短沟道效应、异质栅

分类号：O484.3(固体物理学)

资助基金：Foundation itemsSupported by Natural Science Foundation of Higher Education in Jiangsu Province 10KJD510006

在线出版日期：2015-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：229-239