双沟4H-SiC MESFET优化结构的解析模型及性能

摘要：

优化双沟4H-SiC MESFET结构,通过求解一维和二维泊松方程,建立优化结构的解析模型,分析这种结构的直流和交流特性.结果表明,饱和电流密度的计算结果与实验一致,结构优化后4H-SiC MESFET的饱和电流密度和击穿电压分别为420μA·μm-1和155 V,明显高于优化前的275 μA·μm-1和141 V;最高输出功率密度为7.4 W·mm-1,比优化前提高约64％;截止频率和最高振荡频率比优化前略微提高.双沟结构经优化后其交流小信号特性未退化而功率特性获得明显改善.

关键词：4H-SiC、MESFETs、泊松方程

所属期刊栏目：31

分类号：TN302(半导体技术)

资助基金：青岛科技大学人才引进基金

在线出版日期：2014-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：103-108