F原子吸附TiO2∶Mn(OO1)稀磁半导体薄膜电子结构和磁性的第一性原理计算

摘要：

利用第一性原理方法计算Mn离子掺杂纯净TiO2(001)和F原子吸附的TiO2 (001)薄膜的形成能、态密度和磁矩.F原子吸附明显降低TiO2∶Mn薄膜体系的形成能.F原子的吸附导致Mn离子的磁矩减小,而表面O原子的磁矩增大.表面O原子的磁矩主要来源于O原子px和py轨道的自旋极化,研究表明表面吸附F原子更有利于Mn离子的掺杂,在一定程度上有利于获得结构稳定的铁磁态半金属特性的TiO2∶Mn薄膜.

关键词：第一性原理计算、稀磁半导体、TiO2(001)、自旋极化、态密度

所属期刊栏目：31

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金2011JBZ013,2009JBM105.2009JBZ019;国家国际科技合作专项21174016

在线出版日期：2014-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：96-102