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10.3969/j.issn.1001-246X.2013.03.019

有限深抛物势量子环类氢杂质能级

引用
在有效质量近似下,用微扰法研究InAs量子环内类氢杂质基态及低激发态的能级.受限势采用有限深抛物型势,在二维平面极坐标下,用薛定谔方程的解析解计算.数值结果显示:在抛物势平台区,类氢杂质能级不随电子径向坐标改变,并具有二维氢原子能级的特征;在有限深抛物势区,电子能级敏感地依赖于量子环半径,能级存在极小值,这是由于限制势采用抛物势的结果.如果减小环的半径,可以增加能级间距;简并能级发生分裂并且间距随半径增大而增大,第一激发态的简并没有消除,第二激发态的简并被部分地消除.本文结果对研究量子环的光跃迁及光谱结构有指导意义.

有效质量、简并微扰法、量子环

30

O471.1(半导体物理学)

国家自然科学基金60521001;河北省教育厅自然科学研究指导项目Z2010145;承德市财政局教育局基金201112

2013-07-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

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