Ge/Pb/Si(111)生长中Ge原子沿团簇边缘扩散的三维Monte-Carlo模拟

摘要：

用动态Monte-Carlo方法对Ge在单层表面活性剂Pb覆盖的Si(111)表面上沿团簇边缘扩散进行三维模拟.重点讨论Ge原子是否沿团簇边缘扩散,沿边缘扩散时的最大扩散步数及最近邻原子数对三维生长的影响,并计算薄膜表面粗糙度研究三维生长模式.模拟表明Ge沿团簇边缘扩散的行为对薄膜生长模式的影响很大,同时讨论了ES势对三维生长模式的影响.

关键词：沿团簇边缘扩散、表面活性剂、表面粗糙度、Monte-Carlo模拟

所属期刊栏目：30

分类号：O411.3(理论物理学)

资助基金：浙江省自然科学基金Y6100384

在线出版日期：2013-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：441-446