未钝化和H钝化GaN纳米线的电子结构

摘要：

用密度泛函理论研究直径为9.5(A),15.9(A)和22.5 (A),未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值；加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应.

关键词：纳米线、H钝化、电子结构、密度泛函理论

所属期刊栏目：30

分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金51042010;陕西省科技攻关计划2011K07-09;陕西省教育厅自然科学基金09JK625,2010JK743

在线出版日期：2014-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：277-284