1+1维含噪声Kuramoto-Sivashinsky方程表面宽度分布率的数值计算

摘要：

通过对1+1维含噪声Kuramoto-Sivashinsky(KS)方程进行数值计算,得到其在饱和状态下的表面宽度分布率并与Kardar-Parisi-Zhang(KPZ)方程进行比较.结果表明,1+1维含噪声KS方程的表面宽度分布率标度函数受有限尺寸效应影响较小,并与KPZ方程具有相近的表面宽度分布率标度函数.

关键词：表面界面粗化生长、含噪声Kuramoto-Sivashinsky方程、Kardar-Parisi-zhang方程、表面宽度分布率

所属期刊栏目：28

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金10674177;中国矿业大学校青年基金2008A035

在线出版日期：2011-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：125-130