10.3969/j.issn.1001-246X.2007.06.019
计算半导体平板微腔自发发射的近似方法
引入新变量,并利用高阶泰勒展开完成半导体平板微腔自发发射的空间积分,由此得到半导体平板微腔TE模式自发发射的近似表达式.在腔长为半个中心波长和高反射率腔面的半导体平板微腔中,结合电子和空穴的费米分布函数,用近似方法计算垂直方向小角度内自发发射谱和总的自发发射谱,分别与数值空间积分基本相同,可以用于计算量子阱平板微腔自发发射谱.
半导体平板微腔、自发发射、近似方法
24
TN248(光电子技术、激光技术)
光电信息技术科学教育部重点实验室开放课题天津大学区;河北省自然科学基金F2007000096
2008-01-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
745-748