功率AlGaAs/GaAs HBT自加热频率特性

摘要：

提出了一种功率AlGaAs/GaAs HBT的自加热温度模型,讨论了在大电流条件下,器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响,并对器件的晶格温度、截止频率和最高振荡频率在自加热条件下的变化分别进行了计算和模拟.

关键词：HBT、自加热、频率特性

所属期刊栏目：20

分类号：TN325.3(半导体技术)

在线出版日期：2003-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：467-470