10.3969/j.issn.1001-246X.2003.05.012
重离子微束单粒子翻转与单粒子烧毁效应数值模拟
用束径0.4μm的微束重离子数值模拟了单粒子翻转SEU和单粒子烧毁效应SEB.单粒子翻转给出了不同离子注入后漏区的电压(电流)随时间变化规律;计算了CMOS SRAM电路的单粒子翻转;给出了收集电荷随LET值的变化曲线并给出了某一结构器件的临界电荷;VDMOS器件单粒子烧毁给出了不同时刻沿离子径迹场强、电位线、电流和碰撞离化率的变化.
重离子微束、单粒子翻转、单粒子烧毁、数值模拟
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O571.42;TN99(原子核物理学、高能物理学)
2003-12-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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