Si基SiC薄膜物理制备工艺研究进展

摘要：

随着微纳电子器件集成化程度不断提高,用Si基SiC薄膜取代SiC体单晶引起了人们极大的兴趣,这种方法不仅有利于降低生产成本,还能与Si基大规模集成电路兼容.文章综述了磁控溅射、分子束外延、离子束溅射、离子注入4种物理制备Si基SiC薄膜主要工艺的研究进展,简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响,对各种工艺的优缺点和存在的问题进行了评述,同时指明了 Si基SiC薄膜领域未来的发展方向.

关键词：SiC薄膜、磁控溅射、分子束外延、离子束溅射、离子注入

所属期刊栏目：36

分类号：TB35(工程材料学)

资助基金：江苏省自然科学基金资助项目;江苏省研究生科研创新计划资助项目

在线出版日期：2024-02-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：9-17