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10.3969/j.issn.2095-0411.2019.06.010

双模板导向印迹复合膜的制备及其 回收Nd3+的研究

引用
钕(Nd)是钕磁铁的关键部分,从稀土永磁体中分离Nd已经引起了广泛的关注.通过双模板导向离子印迹(DTD-OII)法,加入氧化石墨烯水溶液,制备出一种新型自撑式离子印迹氧化石墨烯复合膜(IGOMs).与传统印迹方法相比,该方法不需要额外步骤,显著提高印迹效率的同时,制备出的自撑式复合膜还表现出固-液萃取对Nd3+选择性吸附性能.实验结果表明:在pH=4.0时,IGOMs的Nd3+最大吸附量为27.27 mg/g.此外,石墨烯的掺杂可以有效提高复合膜柔性和稳定性,使其在工业应用上成为可能.

钕回收、双模板导向离子印迹、氧化石墨烯、柔性膜、选择性分离

31

X756(矿业、冶金工业废物处理与综合利用)

国家自然科学基金资助项目21808018

2019-12-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共8页

69-76

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常州大学学报(自然科学版)

2095-0411

32-1822/N

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2019,31(6)

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