忆阻电路的韦库模型及其建模分析

摘要：

电流、电压、电荷和磁通是电路中的4个基本物理量,由此构成了包含忆阻器在内的4种基本元件.然而,最近文献提出,磁通和电荷是一对基本物理量,生成了以忆阻器、忆感器和忆容器引领的3类基本元件.以电阻-忆阻串联电路和忆阻蔡氏电路为例,基于磁通和电荷物理量,提出了忆阻电路的韦库模型,开展了相应的数学建模,并与伏安模型进行了比较分析.结果表明:采用伏安模型,忆阻是动态元件,导致电路的阶数增加;而采用韦库模型,忆阻是非动态元件,使得电路的阶数维持不变,有利于开展复杂忆阻电路的动力学特性分析.

关键词：忆阻器、电路元件、韦库关系、忆阻电路

所属期刊栏目：28

分类号：TN711(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51277017;江苏省高校自然科学研究面上项目15KJB510001

在线出版日期：2016-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：104-107