室温非晶硅薄膜热电阻温度系数研究

摘要：

用离子束增强沉积(IBED)方法,在SiO2/Si衬底上沉积了非晶硅薄膜和注氢的非晶硅薄膜.研究薄膜的电阻温度系数(TCR)随制备工艺的变化,分析非晶硅薄膜电阻的稳定性对电阻温度系数的影响.本征非晶硅电阻太大,虽然经过适当地退火后,TCR能够达到6.39％ K-1,但是电阻值还是过高,不适合制作器件.经过硼掺杂的非晶硅薄膜,电阻显著下降,相应的TCR可以达到6.80％ K-1.制作的氢化非晶硅薄膜的电阻温度系数(TCR)高达8.72％K-1,且制作工艺简单,与常规集成电路工艺兼容性好.用离子束增强沉积的非晶硅薄膜可以用于制备红外探测仪.但实验还存在着重复性不好等问题,需要作深入的实验研究.

关键词：非晶硅薄膜、离子束增强沉积、热电阻温度系数、红外探测仪

所属期刊栏目：24

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2013-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：9-13