集成电路互联金属的电迁移效应研究

摘要：

电迁移效应是因传导电子动量对金属的轰击作用造成金属互连线原子迁移、堆积、断裂的现象,是集成电路损坏的重要原因.本课题用离子束溅射,在介质层上沉积Al,Al- Cu和Cu薄膜,然后对三种薄膜材料进行光刻,得到所需的线条.对经光刻后的各种材质线条通以不同的电流密度,观察电迁移发生的极限电流密度,实验测得Al的极限电流密度为2.706×105 A/cm2,含10％Cu的Al-Cu合金的极限电流密度为1.331×106 A/cm2,通以Al线条45倍电流密度下,Cu没有观察到电迁移现象.由此可以得出结论,Cu有着很好的抗电迁移性能,在Al中掺入10％左右的Cu可以有效的提高其抗电迁移的能力.

关键词：集成电路、电迁移、互联、离子束溅射

所属期刊栏目：23

分类号：TN43;TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2012-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：71-74