10.3969/j.issn.2095-0411.2011.04.002
一种N型轻掺杂氢化硅基薄膜的欧姆接触
使用等离子体增强化学气相沉积方法制备了一组磷掺杂氢化硅基薄膜.I-U曲线显示薄膜与铝电极形成了良好的欧姆接触.霍尔测试结果表明该组样品为轻掺杂;利用拉曼光谱和紫外-可见吸收光谱对薄膜的微结构和光学带隙进行了表征,并从薄膜能带结构出发探讨了形成欧姆接触的原因.
氢化硅基薄膜、欧姆接触、能带结构、费米能级
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TQ320;TN304
国家高技术研究发展计划2011AA050511;江苏省科技支撑项目BY2010122
2012-03-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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