退火处理对氢化纳米晶/非晶硅两相薄膜的结构和光学性能的影响

摘要：

利用等离子化学气相沉积(PECVD)方法低温制备不同晶态比的氢化纳米晶/非晶硅两相薄膜,在高纯氮气下对其进行不同温度(300-500℃)的退火处理,并利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶红外光谱(FT-IR)和紫外-可见光透射谱(UV-VIS)对其结构和光学性能进行研究.结果显示400-500℃退火在一定程度上提高了低晶态比的氢化纳米硅/非品硅两相薄膜的结晶度,而高晶态比的氢化纳米硅/非晶硅两相薄膜在500℃下退火20min,其结构和光学特性显示出比较好的热稳定性.

关键词：氢化纳米晶/非晶硅两相薄膜、退火处理、稳定性

所属期刊栏目：22

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：青兰工程资助项目2008-04;江苏省科技支撑项目BE20080030;常州科技支撑项目E2008014;常州科技平台CM2008301;江苏省高校基金项目07KJB430023

在线出版日期：2011-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

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