Ta掺杂VO2多晶薄膜的相变特性

摘要：

以氧化二乙酰丙酮合钒(C10H14O5V)为前驱体.乙醇钽[Ta(OC2H55]为掺杂剂,用溶胶-凝胶方法在Si(100)和SiO2/Si衬底上制备了V1-x,TaxO2(x=0-0.1)多晶薄膜.XRD谱图显示薄膜呈(011)面取向生长.随着Ta掺杂量的增大,d (011)基本呈线性增大表明Ta替代了V在晶格巾的位置,实现了替位掺杂.每掺杂1%原子比的Ta,相变温度降低7.8℃,相变热滞减小1℃.SiO2/Si衬底上5%原子比掺杂薄膜的相变温度为29.5℃,室温(300K)电阻-温度系数(TCR)为-8.44%/K.两种衬底上掺杂V0.9Ta0.1O2薄膜的升温和降温电阻-温度曲线基本重合.实验结果显示,Ta是降低VOz薄膜的相变温度和消除相变热滞的有效掺杂剂.

关键词：二氧化钒薄膜、掺杂、相变、电阻温度系数、溶胶-凝胶法

所属期刊栏目：21

分类号：O484;O792;O645(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助10675055;常州市科技计划资金资助CE2005027

在线出版日期：2010-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：24-28