10.3969/j.issn.2095-0411.2005.02.010
Si(100)上Ge1-xCx合金薄膜的CVD外延生长
用化学气相淀积生长方法,以乙烯为碳源、锗烷为锗源,在Si(100)衬底上外延生长出了C组分达3%的Ge1-xCx合金薄膜,研究表明随着生长温度和乙烯分压的提高均可导致Ge1-xCx薄膜中碳组分的增加;X射线衍射测量显示随着C组分的增加合金薄膜晶格常数不断减小,这表明外延薄膜中的C原子主要以替位式存在.红外吸收谱的测量结果显示Ge1-xCx合金的禁带宽度随着C组分的增加而线性增加,从0.67 eV到0.87 eV,与理论相符,说明碳的掺入有效地调节了禁带宽度.另外拉曼光谱显示Ge1-xCx合金在387 cm-1出现一新峰,该峰是Ge1-xCx薄膜中的Ge在K点的双声子振动引起的.
Ge1-xCx合金薄膜、化学气相淀积、拉曼光谱
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O433.4(光学)
国家重点基础研究发展计划973计划G2000068305
2005-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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