残余氯在等离子体增强化学气相沉积TiN膜中的偏聚过程研究

摘要：

通过分析等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的特点,对残余氯的存在机制、等离子体场中离子轰击对氯在TiN膜内分布的影响作了进一步的讨论.运用经典偏聚理论,根据空位、位错特点,建立了PECVD过程中离子轰击促进氯向晶界、微孔表面等界面处偏聚的模型,从而完满地解释了文献中的有关实验现象.

关键词：等离子体增强化学气相沉积、偏聚、残余氯、氮化钛

所属期刊栏目：16

分类号：TG174.453;TG174.444(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金19392300-5

在线出版日期：2004-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

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