10.3969/j.issn.1000-6826.2020.01.006
金刚石基MOSFETs的最新进展
随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点,传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不再满足高频高功率电子器件领域的需求.近年来,金刚石基MOSFETs的相关研究引起了人们的极大关注.金刚石具有能带间隙宽、导热系数高和载流子迁移率高等优良电学特性,在高温高压高频高功率电子器件应用领域前景广阔.
2020-03-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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