直流磁控溅射制备Zr-B-O薄膜及其热稳定性

摘要：

利用直流磁控溅射技术在Si(100)基底上制备了不同偏压的Zr-B-O和Cu/Zr-B-O薄膜体系,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)等对薄膜样品的微观组织形貌和热稳定性进行表征分析.结果 表明:不同偏压得到的Zr-B-O薄膜均为非晶结构,薄膜表面平整,膜厚均匀,膜基结合良好,薄膜方阻随偏压增加而减小;当退火温度低于750℃时,Cu膜表面完整连续,方阻较小,750℃退火后,由于Cu膜严重聚集并出现孔洞导致薄膜不连续而使电阻增加,但未发生Cu与Si的扩散,说明非晶Zr-B-O薄膜仍可以有效阻挡扩散.

关键词：Zr-B-O薄膜;直流溅射;偏压;微观结构;热稳定性

所属期刊栏目：42

分类号：TG174.44(金属学与热处理)

资助基金：陕西省自然科学基金;陕西省自然科学基金;陕西省自然科学基金;陕西省教育厅科技项目;陕西省教育厅科技项目;西安市科技计划

在线出版日期：2021-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：124-130