10.13289/j.issn.1009-6264.2019-0372
化学气相沉积钨中氘热脱附特性的定量分析
利用不同升温速率的热脱附谱法(TDS)研究了化学气相沉积钨(CVD-W)经70 eV/D、1.3×1025D/m2的氘离子辐照后,样品中氘的热脱附特性.结果 表明:在该实验条件下,CVD-W中氘滞留总量在1019 D/m2量级;氘的脱附温度区间为400 ~800 K;脱附总量与升温速率呈负相关,且脱附温度区间会随着升温速率提高而向高温区漂移;CVD-W中氘的主要俘获位为位错或晶界,氘的脱附活化能为0.88 eV,缺陷激活能为0.81 eV.
化学气相沉积钨(CVD-W)、氘滞留、等离子体辐照、热脱附谱(TDS)
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TG146.4;TL62(金属学与热处理)
国家磁约束核聚变能发展研究专项课题2015GB109002
2019-12-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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