含有易挥发元素的Eu2PdSi3光辐射悬浮区熔法晶体生长

摘要：

新型磁盘存储材料Eu2PdSi3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点.本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu2PdSi3单晶.采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu2PdSi3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu2PdSi3晶体.研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题.

关键词：悬浮区熔、单晶生长、稀土化合物、胞状组织

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分类号：TG132.2(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金青年基金51301021;中央高校基本科研业务费专项基金310831161020,310831163401,2014G3503001;长安大学创新创业训练项目201410710065;西北工业大学凝固技术国家重点实验室开放课题SKLSP201302

在线出版日期：2016-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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