KOH体系下负向电压对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜形成的影响
负向电压对微弧氧化陶瓷膜形成有极其重要的影响.电解液组成变化时,负向电压也必须作相应调整,才能确保微弧氧化过程的稳定和氧化膜的质量.在含mSiO2·nH2O的KOH复合电解液中,在负向电压60 ~ 140 V的条件下对ZAlSil2Cu2Mg1合金进行微弧氧化.采用电涡流测厚仪、SEM和XRD对陶瓷膜进行表征,研究了负向电压对厚度、表面形貌、相组成及耐磨性的影响.结果表明:随着负向电压增大,膜厚增加,膜层中有显微裂纹存在;负向电压为120 V时,膜厚达到186.7 μm,耐磨性好.膜层主要由Mullite及α-Al2O3相组成,但衍射谱中α-Al2O3相峰强较高.
微弧氧化、负向电压、ZAlSi12Cu2Mg1、陶瓷膜
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TG146.21(金属学与热处理)
内蒙古高等学校科学研究项目NJZY11254
2014-09-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
189-193