磁控溅射制备SiC薄膜及其高温抗氧化性
用射频磁控溅射法在单晶Si(100)基片上制备了SiC薄膜.将制备的薄膜分别在800、900和1000℃空气气氛中退火120 min.用X射线衍射仪和傅里叶变换红外光谱仪测试了薄膜的结构,用X射线光电子能谱仪测试了薄膜元素的组成和状态,用场发射扫描电子显微镜测试了薄膜表面的形貌.结果表明:经800℃空气退火后,薄膜表面生成了一层SiO2保护层,阻止了内部SiC薄膜的继续氧化,因此SiC薄膜在800℃具有较好的高温抗氧化性;随着退火温度的升高,SiC薄膜被进一步氧化,经1000℃空气退火后,薄膜已大部分转变为SiO2.
SiC薄膜、射频磁控溅射、SiO2、抗氧化性
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TG174.44(金属学与热处理)
国家"973"计划项目2008CB717802;安徽省自然科学基金090414182;安徽省高校自然科学基金KJ2009A091,KJ2012A228
2013-08-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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