水平磁场作用下φ300mm直拉单晶硅生长三维数值模拟

摘要：

设计一种二维轴对称和三维混合的数值计算模型,对水平磁场作用下的直拉硅单晶生长进行了研究.结果表明,由于水平磁场的非轴对称性,只有在三维模型中才能获得确切的温度、速度分布.温度场、熔体中的流函数和固液界面形状在水平磁场的作用下也具有非轴对称性,这种非轴对称性随磁场强度的变化而改变.提高晶体旋转速度有利于减小固液界面形状的非轴对称性,并会改变界面形状的凹凸程度；提高坩埚旋转速度则有利于提高熔体中温度分布的均匀性,但会扩大熔体中的径向温度梯度.

关键词：直拉硅单晶、水平磁场、数值模拟、非轴对称性

所属期刊栏目：34

分类号：O782;TN304(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金61075044;教育部科学技术研究重点项目212169

在线出版日期：2013-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：193-198