铝表面SiOx薄膜结合性能与机理研究

摘要：

应用化学气相沉积(CVD)方法在铝表面形成SiOx陶瓷涂层,通过弯曲实验研究了涂层与基体的结合性能.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了弯曲部位的表面形貌,弯曲过程表述为表面凹坑与内部孔洞联合长大,形成长条裂纹状沟槽或突脊,最后裂纹长大直至断裂.研究表明,基底与膜层结合良好,形成高结合力的原因是铝基底与表面SiOx膜层间过渡层中的Al-O与Si-O键合能很高,键合稳定.

关键词：铝基、SiOx薄膜、弯曲实验、结合力、机理

所属期刊栏目：27

分类号：TB43;TN304.12(工业通用技术与设备)

资助基金：中国科学院资助项目50271065

在线出版日期：2006-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：68-70