多晶硅薄膜的工艺研究

摘要：

研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小.结果表明:退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜的比例越高,晶粒也相对较大;薄膜在(111)方向上优先结晶,晶粒大小可以达到1μm,与理论值做了比较.

关键词：多晶硅、薄膜、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、退火

所属期刊栏目：25

分类号：TB383;TB43(工程材料学)

资助基金：电子科技大学校科研和教改项目YF0503

在线出版日期：2004-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：4-6