外源硅对盐胁迫下黄瓜幼苗生长和光合荧光特性的影响

摘要：

以耐盐性较弱的黄瓜品种津优4号为材料,采用营养液栽培法,研究外源硅对盐胁迫下黄瓜幼苗生长、叶绿素含量、气体交换参数以及叶绿素荧光特性的影响。结果表明,70 mmo1/L NaC1处理显著降低了黄瓜幼苗叶片的净光合速率( Pn ),抑制黄瓜幼苗生长,而2 mmo1/L 外源硅处理缓解了盐胁迫诱导的光合和生长抑制；盐胁迫下,黄瓜幼苗叶片单位反应中心吸收的光能( ABS/RC)和单位反应中心的能态淬灭( DIo/RC)显著上升,降低了光系统II( PSII)非环式电子传递的能力,引起黄瓜幼苗叶片光合器官的结构性能( PIABS )和光合作用质子驱动力( DFABS )显著下降；外源硅处理逆转了盐胁迫导致的叶绿素荧光参数的变化。这些结果表明外源硅处理可缓解盐胁迫对黄瓜幼苗光合器官结构和功能的伤害,促进黄瓜幼苗的生长,从而有助于增强黄瓜植株对盐胁迫的耐受性。

关键词：硅、盐胁迫、黄瓜、生长、光合作用、叶绿素荧光

分类号：S642.2

资助基金：江苏省农业科技自主创新基金项目CX 123069

在线出版日期：2015-01-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1402-1409