磁控溅射工艺参数对Cu薄膜织构的影响

摘要：

介绍了直流磁控溅射制备Cu薄膜时,溅射功率和玻璃基片温度等工艺参数的变化对薄膜织构的影响.靶材采用质量分数大于99.9%的铜靶,溅射室内真空度低于1.7×10-4,在氩气为保护气体的氛围下制备薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)测试分析了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌的变化.结果表明,随着玻璃基片温度升高,薄膜微观结构呈明显的差异.随着溅射功率的增大,溅射速率增大,薄膜织构减弱;当功率增大到200 W时,速率开始减小,织构开始增强.选择功率40 W、溅射气压0.5 Pa、衬底温度423 K和473 K的工艺参数,可获得表面结构平滑、致密和呈微小晶粒结构的薄膜.

关键词：Cu、薄膜、磁控溅射、织构、晶粒形状尺寸

所属期刊栏目：30

分类号：TB430.1(工业通用技术与设备)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50451004

在线出版日期：2009-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：483-486