锡石表面电子结构及羟基化第一性原理计算

摘要：

基于密度泛函理论,采用Materials Studio 7.0软件进行了锡石{100}、{110}、{l01}解理面的电子结构及表面能的第一性原理计算,并以此为基础进一步研究了氢氧根离子在锡石{100}表面上吸附的羟基化影响.计算结果表明:与{101}面相比,{100}面和{110}面具有更低的表面能,是锡石最常见的解理面;氢氧根离子主要通过带负电的氧原子与表面上五配位的锡原子发生键合形成吸附,这种具有悬挂键的锡原子是锡石表面的活性位点.理论模拟计算能为新型锡石捕收剂的开发提供指导.

关键词：锡石、第一性原理计算、表面能、氢氧根

分类号：TD923(选矿)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划项目2013AA064102

在线出版日期：2016-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：52-56