10.16526/j.cnki.11-4762/tp.2020.01.010
一种MOS管自动功率老化测试系统的设计
通过分析MOS管结温对器件可靠性的重要性,指出现有老化方法在试验过程中未能达到最高允许结温,老化不充分的问题;提出了一种测试过程中实时测量MOS管导通电阻RDS(ON)推断结温的老化方法,使老化过程中受试器件的结温尽量控制在最高允许结温附近;介绍了自动老化测试系统的构成及工作模式,详细阐述了老化板的工作原理及老化参数标定的方法;以型号为IRFB4019的MOS管作为试验对象,对测试系统进行功能验证;试验结果表明,该老化方法试验过程受试器件结温可控,能够将结温控制在最高允许温度附近,可以更加有效地剔除存在潜在问题的器件,与现有方法相比,老化更充分.
可靠性、MOS管、功率老化、极限结温、导通电阻
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TN386/271(半导体技术)
2018年四川省科技厅半导体可靠性测试平台项目2018TJPT0009
2020-04-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
41-43,60