10.3969/j.issn.1671-4598.1999.01.018
用离子注入技术制作的砷化镓霍尔传感器
针对器件低内阻下的高灵敏度这一器件特性上的难题,在砷化镓霍尔传感器设计中采用非对称十字形结构.在制作上采用全离子注入平面化技术,获得了在800Ω内阻上大于25mV/mA·KG的高灵敏度.
霍尔传感器、砷化镓、离子注入、灵敏度
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TP2(自动化技术及设备)
2005-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
51-54
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10.3969/j.issn.1671-4598.1999.01.018
霍尔传感器、砷化镓、离子注入、灵敏度
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TP2(自动化技术及设备)
2005-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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