加氢脱硫反应分子在MoS2表面吸附的分子模拟研究

摘要：

采用DFT计算的方法研究了加氢脱硫反应的模型化合物噻吩和1-己烯在S边空位、Mo边和角位上的吸附能,并分析该过程中的电荷转移和C-S及C=C键键长变化情况.计算结果表明:噻吩和1-己烯在3种活性中心上吸附的强弱趋势是一致的,都是角位最强,S空位其次,最弱是Mo边,同时,对于3种活性中心噻吩和1-己烯在各活性中心上的吸附能相差很小,即3种活性中心上噻吩和1-己烯的吸附选择性都很小.噻吩加氢后各中间产物在活性中心上的吸附显著增强,并且表现出了明显的选择性.此时吸附强弱大致顺序为S空位＞角位＞Mo边.

关键词：吸附、DFT计算、活性中心

所属期刊栏目：33

分类号：TQ015.9;TP391.9;O6-39(一般性问题)

资助基金：国家重点基础研究发展计划“973”项目2012CB224802

在线出版日期：2016-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：866-870